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Placa de vidro de quartzo de sílica fundida óptica perfurada por CNC de alta precisão

Placa de vidro de quartzo de sílica fundida óptica perfurada CNC de alta precisão com conteúdo de 99,99% de SiO₂, ponto de fusão de 1732 ℃ e temperatura de trabalho de 1100 ℃. Fabricação personalizada com serviços de puncionamento/corte e amostras grátis disponíveis para aplicações de semicondutores.

Tubos de quartzo de grande diâmetro, resistentes a altas temperaturas, polidos, translúcidos para fornos de tubos

Tubo de vidro de quartzo de alta temperatura com pureza de 99,99% SiO₂, temperatura de trabalho de até 1100 ℃, faixa de diâmetro externo de 10-10000 mm. Ideal para aplicações de semicondutores, laboratórios e fornos industriais. Corte/perfuração personalizados disponíveis com amostras grátis.
Qualidade Placa de Vidro de Quartzo Transparente de Alta Resistência a Altas Temperaturas 1200℃ com 99,99% de Pureza, Folha de Vidro de Sílica Fundida Fábrica VIDEO

Placa de Vidro de Quartzo Transparente de Alta Resistência a Altas Temperaturas 1200℃ com 99,99% de Pureza, Folha de Vidro de Sílica Fundida

Placa de quartzo resistente a altas temperaturas com temperatura de trabalho de 1150 ℃, >92% de transmitância de luz e 99,99% de pureza de SiO2. Disponível em espessuras de 0,5 a 100 mm com opções de fabricação personalizadas para aplicações de semicondutores, laboratórios e fornos.
Qualidade Tubos de vidro de quartzo resistentes a altas temperaturas de 1200°C com SiO2 > 99,99% de pureza e opções de tamanho personalizadas Fábrica VIDEO

Tubos de vidro de quartzo resistentes a altas temperaturas de 1200°C com SiO2 > 99,99% de pureza e opções de tamanho personalizadas

High Temperature Resistant Clear Quartz Glass Tube No Bubbles Fused Silica Pipe for Semiconductor Diffusion Furnace Product Characteristics SiO₂ Content 99.9% Density 2.2 g/cm³ Hardness (Moh's Scale) 6.6 Melting Point 1732℃ Working Temperature 1100℃ Max Short-term Temperature 1450℃ Visible Light ...
Qualidade Folha de Vidro de Quartzo Transparente Retangular Resistente ao Calor de Alta Qualidade com Furos para Semicondutor Fábrica VIDEO

Folha de Vidro de Quartzo Transparente Retangular Resistente ao Calor de Alta Qualidade com Furos para Semicondutor

Placa de vidro de quartzo transparente resistente a altas temperaturas com teor de 99,99% de SiO₂, ponto de fusão de 1732 ℃, temperatura de trabalho de 1100 ℃. Processamento personalizado de perfuração/corte, amostras grátis disponíveis. Ideal para aplicações de semicondutores.
Qualidade Placa de Vidro de Quartzo de Alta Pureza 99,99% Resistente a Altas Temperaturas e à Corrosão para Janela Óptica Fábrica VIDEO

Placa de Vidro de Quartzo de Alta Pureza 99,99% Resistente a Altas Temperaturas e à Corrosão para Janela Óptica

High Purity 99.99% High Temperature Resistant Corrosion Resistant Quartz Glass Plate High Purity 99.99% High Temperature Resistant Corrosion Resistant Quartz Glass Round Plate. Customized corrosion resistant and high temperature resistant quartz frosted plates manufactured by Shengfan Quartz. We ...
Qualidade Placa de Quartzo de Sílica Fundida de Grau Óptico com 92% de Transmitância e Resistência ao Calor de 1150°C para Aplicações UV Fábrica VIDEO

Placa de Quartzo de Sílica Fundida de Grau Óptico com 92% de Transmitância e Resistência ao Calor de 1150°C para Aplicações UV

Placa de quartzo de sílica fundida de grau óptico com transmitância de 92%, resistência ao calor de 1150 ℃, alta pureza (SiO₂> 99,99%), densidade 2,2g/cm³ e dureza Morse 6,5. Formatos e especificações personalizados disponíveis para aplicações UV, máquinas industriais, instrumentos ópticos e ambientes de alta temperatura.
Qualidade Resistente a altas temperaturas 1200°C Resistente à corrosão Beaker de quartzo claro para equipamentos de laboratório Fábrica VIDEO

Resistente a altas temperaturas 1200°C Resistente à corrosão Beaker de quartzo claro para equipamentos de laboratório

Copo de quartzo transparente com resistência à corrosão de 1200 ℃, resistente a altas temperaturas para equipamentos de laboratório. Apresenta conteúdo de 99,99% de SiO₂, ponto de fusão de 1732°C, temperatura de trabalho de 1100°C e dureza de 6,6. Ideal para pesquisas laboratoriais, processos de semicondutores e aplicações de ensino universitário.