Material | SIO2>99.99% |
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Densidade | 2.2g/cm3 |
Dureza | Morse 6,5 |
Temparature de trabalho | 1150℃ |
Ponto do derretimento | 1750-1850℃ |
Tipo | Placa clara de quartzo |
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Aplicação | luz UV, óptica |
Espessura | 0.5-100mm |
Forma | Quadrado |
Processando o serviço | Dobra, solda, perfurando, corte |
Tipo | Placa de quartzo congelado |
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Aplicação | Semicondutor, ótico |
Espessura | 0.5-100 mm |
Forma | Passo |
Serviço de tratamento | Fabricação em que o teor de ácido acetilsalicílico não exceda 50% do teor de ácido acético |
Material | SIO2>99.99% |
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OD | 3-300mm |
Transmitância claro | >92% |
Temparature de trabalho | 1100℃ |
Dureza | Mose 6,5 |
Material | SIO2>99.99% |
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Densidade | 2.2g/cm3 |
Dureza | Morse 6,5 |
Temparature de trabalho | 1150℃ |
Ponto do derretimento | 1750-1850℃ |