| Material | SIO2>99.99% |
|---|---|
| Densidade | 2.2g/cm3 |
| Dureza | Morse 6,5 |
| Temparature de trabalho | 1150℃ |
| Ponto do derretimento | 1750-1850℃ |
| Material | SIO2>99.99% |
|---|---|
| OD | 3-300mm |
| Transmitância claro | >92% |
| Temparature de trabalho | 1100℃ |
| Dureza | Mose 6,5 |
| Material | SIO2>99.99% |
|---|---|
| OD | 3-300mm |
| Transmitância claro | >92% |
| Temparature de trabalho | 1100℃ |
| Dureza | Morse 6,5 |
| Tipo | Placa de quartzo limpa |
|---|---|
| Aplicativo | Semicondutor, óptico |
| Grossura | 0,5-100mm |
| Forma | Quadrado |
| Serviço de processamento | Punchando, corte |
| Material | 99,99% |
|---|---|
| Transmitância claro | 92% |
| Densidade | 2.2g/cm3 |
| Temparature de trabalho | 1100℃ |
| Dureza | Morse 6,5 |
| Material | 99,99% |
|---|---|
| Transmitância claro | 92% |
| Densidade | 2.2g/cm3 |
| Temparature de trabalho | 1100℃ |
| Dureza | Morse 6,5 |
| Material | 99,99% |
|---|---|
| Transmitância claro | 92% |
| Densidade | 2.2g/cm3 |
| Temparature de trabalho | 1100℃ |
| Dureza | Morse 6,5 |
| Material | SIO2>99.99% |
|---|---|
| OD | 3-300mm |
| Transmitância claro | >92% |
| Temparature de trabalho | 1100℃ |
| Dureza | Morse 6,5 |
| Nome do produto | Vidro de quartzo perfurado |
|---|---|
| Material | SiO2 |
| Dureza | Morse 6,5 |
| Temperatura de trabalho | 1100℃ |
| Qualidade de superfície | 20/40 ou 40/60 |
| Material | 99,99% |
|---|---|
| Transmitância claro | 92% |
| Densidade | 2.2g/cm3 |
| Temparature de trabalho | 1100℃ |
| Dureza | Morse 6,5 |