Tipo | Placa clara de quartzo |
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aplicação | luz UV, óptica |
Espessura | 0.5-100mm |
Forma | Quadrado |
Processando o serviço | Dobra, solda, perfurando, corte |
Material | silicone fundido |
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Temperatura de trabalho | 1100℃ |
Tolerância ácida | 30 vezes do que a cerâmica |
Dureza | morse 6,5 |
Densidade | 2.2g/cm3 |
Nome do produto | Cubeta de quartzo |
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Material | silicone fundido |
temperatura de trabalho | 1100℃ |
Tolerância ácida | 30 vezes do que a cerâmica |
Dureza | Morse 6.5 |
Tipo | portador de wafer de quartzo |
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Aplicação | Semicondutor, ótico |
Espessura | 0.5-100 mm |
Forma | Quadrado |
Serviço de tratamento | Fabricação em que o teor de ácido acetilsalicílico não exceda 50% do teor de ácido acético |
Tipo | Placa de quartzo transparente |
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Aplicação | Semicondutor, ótico |
Espessura | 0.5-100 mm |
Forma | Quadrado |
Serviço de tratamento | Perfurar, cortar |
Material | SiO2 |
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densidade | 2.2g/cm3 |
Dureza | Morse 6,5 |
Temperatura de trabalho | 1100℃ |
Transmitância UV | 80% |
Material | SiO2 |
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densidade | 2.2g/cm3 |
Dureza | Morse 6,5 |
Temperatura de trabalho | 1100℃ |
Transmitância UV | 80% |
Material | SiO2 |
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densidade | 2.2g/cm3 |
Dureza | Morse 6,5 |
Temperatura de trabalho | 1100℃ |
Transmitância UV | 80% |
Nome do produto | Tubo de quartzo |
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Material | Sio2 |
dureza | Morse 6,6 |
Ponto do derretimento | 1730℃ |
Temparature de trabalho | 1100℃ |
Material | SiO2 |
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Dureza | Morse 6,5 |
Temperatura de trabalho | 1200℃ |
Qualidade de superfície | 20/40 ou 40/60 |
Força de Dieletric | 250~400Kv/cm |