Material | 99,99% |
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Transmitância claro | 92% |
Densidade | 2.2g/cm3 |
Temparature de trabalho | 1100℃ |
Dureza | Morse 6,5 |
Material | SiO2 |
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Dureza | Morse 6,5 |
Temperatura de trabalho | 1100℃ |
Qualidade de superfície | 20/40 ou 40/60 |
Força de Dieletric | 250~400Kv/cm |
Material | SIO2>99.999% |
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Densidade | 2,2 (g/cm3) |
Transmitância claro | >92% |
Dureza | Morse 6,5 |
Temperatura de trabalho | 1100℃ |
Nome | Placa de vidro de alta temperatura de quartzo |
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Tipo | Placa de quartzo transparente |
Aplicação | Semicondutor, ótico |
Espessura | 0.5-100 mm |
Forma | Quadrado |
Tipo | Placa de quartzo transparente |
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Aplicação | Semicondutor, ótico |
Espessura | 0.5-100 mm |
Forma | Quadrado |
Serviço de tratamento | Perfurar, cortar |
Tipo | Placa de quartzo transparente |
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Aplicação | Semicondutor, ótico |
Espessura | 3-100mm |
Forma | Quadrado |
Serviço de tratamento | Perfurar, cortar |
Nome do produto | placa de vidro de quartzo |
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Material | 99,99% |
Transmitância claro | 92% |
Densidade | 2.2g/cm3 |
Temparature de trabalho | 1100℃ |
Tipo | Placa de quartzo transparente |
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Aplicação | Semicondutor, ótico |
Espessura | 0.5-100 mm |
Forma | Quadrado |
Serviço de tratamento | Perfurar, cortar |
Nome do produto | Placa de vidro de quartzo |
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Material | Sio2 |
Temparature de trabalho | 1200℃ |
Ponto do derretimento | 1850℃ |
Forma | Quadrado/redondo/alguma forma |
Name | High Temperature Quartz Glass Plate |
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Type | Clear Quartz Plate |
Application | Semiconductor, optical |
Thickness | 0.5-100mm |
Shape | Square |