Tipo | Placa de quartzo transparente |
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Aplicação | Semicondutor, ótico |
Espessura | 0.5-100 mm |
Forma | Passo |
Serviço de tratamento | Fabricação em que o teor de ácido acetilsalicílico não exceda 50% do teor de ácido acético |
Material | SIO2>99.999% |
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Densidade | 2,2 (g/cm3) |
Transmitância claro | >92% |
Dureza | Morse 6,5 |
Temperatura de trabalho | 1100℃ |
Material | SiO2 |
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Junção | homem de 14mm/18mm |
Ângulo do tubo | 90° |
Temparature de trabalho | 1100℃ |
Cor | Transparente |
Material | SIO2>99.999% |
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Densidade | 2,2 (g/cm3) |
Transmitância claro | >92% |
Dureza | Morse 6,5 |
Temperatura de trabalho | 1100℃ |
Tipo | Placa clara de quartzo |
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aplicação | Semicondutor, ótico |
Espessura | 0.5-100mm |
Forma | Quadrado |
Processando o serviço | Dobra, soldando, perfurando, corte, lustrando |
Tipo | Placa clara de quartzo |
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aplicação | Semicondutor, ótico |
Espessura | 0.5-100mm |
Forma | Quadrado |
Processando o serviço | Dobra, soldando, perfurando, corte, lustrando |
Modelo | Placa clara de quartzo |
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Inscrição | Semicondutor, ótico |
espessura | 0.5-100mm |
Forma | Quadrado |
Serviço de processamento | Dobra, soldando, perfurando, corte, lustrando |
Tipo | portador de wafer de quartzo |
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Aplicação | Semicondutor, ótico |
Espessura | 0.5-100 mm |
Forma | Quadrado |
Serviço de tratamento | Fabricação em que o teor de ácido acetilsalicílico não exceda 50% do teor de ácido acético |
Tipo | portador de wafer de quartzo |
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Aplicação | Semicondutor, ótico |
Espessura | 0.5-100 mm |
Forma | Quadrado |
Serviço de tratamento | Fabricação em que o teor de ácido acetilsalicílico não exceda 50% do teor de ácido acético |
Tipo | Placa de quartzo transparente |
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Aplicação | Semicondutor, ótico |
Espessura | 0.5-100 mm |
Forma | Quadrado/círculo |
Serviço de tratamento | Fabricação em que o teor de ácido acetilsalicílico não exceda 50% do teor de ácido acético |