| Tipo | portador de wafer de quartzo |
|---|---|
| Aplicação | Semicondutor, ótico |
| Espessura | 0.5-100 mm |
| Forma | Quadrado |
| Serviço de tratamento | Fabricação em que o teor de ácido acetilsalicílico não exceda 50% do teor de ácido acético |
| Tipo | Placa de quartzo transparente |
|---|---|
| Aplicação | Semicondutor, ótico |
| Espessura | 0.5-100 mm |
| Forma | Quadrado/círculo |
| Serviço de tratamento | Fabricação em que o teor de ácido acetilsalicílico não exceda 50% do teor de ácido acético |
| Material | SiO2 |
|---|---|
| Dureza | Morse 6,5 |
| Temperatura de trabalho | 1200℃ |
| Qualidade de superfície | 20/40 ou 40/60 |
| Força de Dieletric | 250~400Kv/cm |
| Nome do produto | Garrafa de reagente do laboratório |
|---|---|
| Material | SIO2>99.9% |
| Densidade | 2.2g/cm3 |
| Temperatura de trabalho | 1100℃ |
| Tolerância ácida | 30 vezes do que a cerâmica, 150 vezes do que de aço inoxidável |
| Tipo | Placa de quartzo transparente |
|---|---|
| Aplicação | Semicondutor, ótico |
| Espessura | 0.5-100 mm |
| Forma | Quadrado |
| Serviço de tratamento | Fabricação em que o teor de ácido acetilsalicílico não exceda 50% do teor de ácido acético |
| Tipo | Tubo de quartzo transparente |
|---|---|
| Aplicação | Semicondutor, ótico |
| Espessura | 0.5-100 mm |
| Forma | Semicircular |
| Serviço de tratamento | Fabricação em que o teor de ácido acetilsalicílico não exceda 50% do teor de ácido acético |
| Tipo | Placa de quartzo transparente |
|---|---|
| Aplicação | Semicondutor, ótico |
| Espessura | 0.5-100 mm |
| Forma | Quadrado |
| Serviço de tratamento | Fabricação em que o teor de ácido acetilsalicílico não exceda 50% do teor de ácido acético |
| Material | SiO2 |
|---|---|
| Dureza | Morse 6,5 |
| Temperatura de trabalho | 1100℃ |
| Qualidade de superfície | 20/40 ou 40/60 |
| Força de Dieletric | 250~400Kv/cm |
| Material | SiO2 |
|---|---|
| Dureza | Morse 6,5 |
| Temperatura de trabalho | 1100℃ |
| Qualidade de superfície | 20/40 ou 40/60 |
| Força de Dieletric | 250~400Kv/cm |
| Material | SiO2 |
|---|---|
| Dureza | Morse 6,5 |
| Temperatura de trabalho | 1200℃ |
| Qualidade de superfície | 20/40 ou 40/60 |
| Força de Dieletric | 250~400Kv/cm |
