Nome do produto | Placa de vidro de quartzo |
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Material | 99,99% |
Transmitância claro | 92% |
Densidade | 2.2g/cm3 |
Temparature de trabalho | 1100℃ |
Nome do produto | Placa de vidro de quartzo |
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Material | SIO2>99.999% |
Densidade | 2,2 (g/cm3) |
Transmitância claro | >92% |
Dureza | morse 6,5 |
Nome do produto | placa de vidro de quartzo |
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Material | SIO2>99,99% |
densidade | 2,2g/cm3 |
Dureza | Morse 6.5 |
Temperatura de trabalho | 1150 ℃ |
Nome do produto | placa de vidro de quartzo |
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Material | SIO2>99,99% |
Density | 2.2g/cm3 |
Dureza | Morse 6.5 |
Temperatura de trabalho | 1150 ℃ |
Type | Clear Quartz Plate |
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Application | Semiconductor, optical |
Thickness | 0.5-100mm |
Shape | Square |
Processing Service | Punching, Cutting |
Tipo | Placa de quartzo transparente |
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Aplicação | Semicondutor, ótico |
Espessura | 0.5-100 mm |
Forma | Quadrado |
Serviço de tratamento | Perfurar, cortar |
Tipo | portador de wafer de quartzo |
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Aplicação | Semicondutor, ótico |
Espessura | 0.5-100 mm |
Forma | Quadrado |
Serviço de tratamento | Fabricação em que o teor de ácido acetilsalicílico não exceda 50% do teor de ácido acético |
Tipo | Tubo de quartzo transparente |
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Aplicação | Semicondutor, ótico |
Espessura | 0.5-100 mm |
Forma | Semicircular |
Serviço de tratamento | Fabricação em que o teor de ácido acetilsalicílico não exceda 50% do teor de ácido acético |
Nome do produto | Vidro de quartzo perfurado |
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Material | SiO2 |
Dureza | Morse 6,5 |
Temperatura de trabalho | 1100℃ |
Qualidade de superfície | 20/40 ou 40/60 |
Nome do produto | Placa de vidro de quartzo |
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Material | Sio2 |
Dureza | Morse 6,5 |
Temperatura de trabalho | 1100℃ |
Qualidade de superfície | 20/40 ou 40/60 |