Material | SIO2>99.99% |
---|---|
Densidade | 2.2g/cm3 |
Dureza | Morse 6,5 |
Ponto do derretimento | 1750-1850℃ |
Temperatura de trabalho | 1110℃ |
Material | SIO2>99.99% |
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Densidade | 2.2g/cm3 |
Dureza | Morse 6,5 |
Ponto do derretimento | 1750-1850℃ |
Temperatura de trabalho | 1110℃ |
Nome do produto | Urna de quartzo |
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Material | SIO2>99.99% |
Densidade | 2.2g/cm3 |
Dureza | morse 6,5 |
Ponto do derretimento | 1750-1850℃ |
Material | SIO2>99.99% |
---|---|
Densidade | 2.2g/cm3 |
Dureza | Morse 6,5 |
Ponto do derretimento | 1750-1850℃ |
Temperatura de trabalho | 1110℃ |
Nome do produto | Garrafa de reagente do laboratório |
---|---|
Material | SIO2>99.9% |
Densidade | 2.2g/cm3 |
Tolerância ácida | 30 vezes do que a cerâmica, 150 vezes do que de aço inoxidável |
Ponto do derretimento | 1750℃ |
Nome do produto | Garrafa de reagente do laboratório |
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Material | SIO2>99.9% |
Densidade | 2.2g/cm3 |
Temperatura de trabalho | 1100℃ |
Tolerância ácida | 30 vezes do que a cerâmica, 150 vezes do que de aço inoxidável |
Tipo | Placa clara de quartzo |
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aplicação | luz UV, óptica |
Espessura | 0.5-100mm |
Forma | Quadrado |
Processando o serviço | Dobra, solda, perfurando, corte |
Tipo | Placa de quartzo transparente |
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Aplicação | Semicondutor, ótico |
Espessura | 0.5-100 mm |
Forma | Quadrado |
Serviço de tratamento | Perfurar, cortar |
Tipo | Placa de quartzo transparente |
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Aplicação | Semicondutor, ótico |
Espessura | 0.5-100 mm |
Forma | Quadrado |
Serviço de tratamento | Perfurar, cortar |
Tipo | Placa de quartzo transparente |
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Aplicação | Semicondutor, ótico |
Espessura | 0.5-100 mm |
Forma | Quadrado |
Serviço de tratamento | Perfurar, cortar |