Materiais | Quartzo fundido |
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TEMPERATURA DE TRABALHO | 1100℃ |
Dureza | Morse 6,5 |
ponto de amaciamento | 1780℃ |
Ponto do recozimento | 1250°C |
Tipo | Placa clara de quartzo |
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Inscrição | Semicondutor, ótico |
Espessura | 0.5-100mm |
Forma | Quadrado |
Processando o serviço | Perfuração, corte, lustrando |
Tipo | portador de wafer de quartzo |
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Aplicação | Semicondutor, ótico |
Espessura | 0.5-100 mm |
Forma | Quadrado |
Serviço de tratamento | Fabricação em que o teor de ácido acetilsalicílico não exceda 50% do teor de ácido acético |
Nome do produto | haste de vidro de quartzo |
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Material | SIO2>99.99% |
Densidade | 2.2g/cm3 |
Transimittance claro | 92% |
dureza | morse 6,5 |