| material | SIO2>99.999% |
|---|---|
| densidade | 2,2 (g/cm3) |
| Transmitância claro | >92% |
| Dureza | Morse 6,5 |
| Temperatura de trabalho | 1100℃ |
| Tipo | Placa clara de quartzo |
|---|---|
| Aplicação | Semicondutor, ótico |
| Espessura | 0.5-100mm |
| Forma | Quadrado |
| Processando o serviço | Dobra, solda, perfurando, corte |
| Tipo | Placa clara de quartzo |
|---|---|
| aplicação | Semicondutor, ótico |
| Espessura | 0.5-100mm |
| Forma | Quadrado |
| Processando o serviço | Dobra, soldando, perfurando, corte, lustrando |
| Material | SiO2 |
|---|---|
| Dureza | morse 6,5 |
| Temperatura de trabalho | 1100℃ |
| Qualidade de superfície | 20/40 ou 40/60 |
| Força de Dieletric | 250~400Kv/cm |
| Material | SiO2 |
|---|---|
| Dureza | morse 6,5 |
| Temperatura de trabalho | 1100℃ |
| Qualidade de superfície | 20/40 ou 40/60 |
| Força de Dieletric | 250~400Kv/cm |
| Material | SIO2>99,99% |
|---|---|
| Densidade | 2,2g/cm3 |
| Transitância luminosa | 92% |
| Dureza | Morse 6.5 |
| Temperatura de trabalho | 1100 ℃ |
| Material | SIO2>99.99% |
|---|---|
| Densidade | 2,2 (g/cm3) |
| Transmitância claro | >92% |
| Dureza | Morse 6,5 |
| Temperatura de trabalho | 1100℃ |
| Material | SiO2 |
|---|---|
| Temparature de trabalho | 1200℃ |
| Ponto do derretimento | 1850℃ |
| forma | Quadrado/redondo/alguma forma |
| Espessura | 1mm-50mm |
| Material | 99,99% |
|---|---|
| Transmitância claro | 92% |
| Densidade | 2.2g/cm3 |
| Temparature de trabalho | 1100℃ |
| Dureza | Morse 6,5 |
| Material | SiO2 |
|---|---|
| Dureza | Morse 6,5 |
| Temperatura de trabalho | 1100℃ |
| Qualidade de superfície | 20/40 ou 40/60 |
| Força de Dieletric | 250~400Kv/cm |
